，不可能让同一领域重复发表太多文章的，除非是那种大热门的领域，或是某一领域短期连续取得重大突破。

　　而现在许秋10%的效率，谈得上是突破，却不算重大突破。

　　将心中的杂念抛开，许秋开始仔细分析数据。

　　不论如何，作为科研工作者，最核心的还是要把自己的工作做好。

　　一共有上千个器件的J-V数据结果，光是分析这些庞杂的数据，许秋就花费了半个小时的时间，也得到了不少结论：

　　第一，最佳的体系为H22：IDTT-ICIN，效率达到了%，原先H22:IDT-ICIN体系的效率是%，这表明IDTT单元相比于原先的IDT单元，光电性能提升了不少。

　　许秋立刻认识到IDTT-ICIN将是一个非常重要的标样体系，便将IDTT-ICIN命名为ITIC，对于标样体系来说，名称简单一些比较好，就比如PCE10、P3HT、PCE11、PCBM这些。名字简单就容易被其他人记忆，也容易得到同行们的认可。

　　此外，ITIC的体系，和3D-PDI体系不同，这种ADA分子的最优器件加工条件，不需要退火后处理，也不需要溶剂添加剂，只需要正常的喷涂即可，非常的简单，很“干净”。

　　而且，正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2%左右，仅为%，如果其他人不知道喷涂这个技巧，就会比较难以重复出来这个结果。

　　第二，基于IDT-ICIN-4F/4Cl/DM这些结构，性能相较于IDT-ICIN，-4F和-DM体系有所提高，幅度也不算小，从%分别提升到了%和%，而-4Cl体系反而略微降低，至%。

　　第三，学妹的H3x体系，也就是在BDT单元上引入氟原子后，器件的性能并没有提高，反而略微降低。

　　根据现有的文献，从统计学上来看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20%左右，当然的想法是虽然这个概率不高，但也值得尝试，现在扑街了，也没什么大不了的。

　　因为哪怕是扑街的材料，和ITIC结合，器件性能也有%，最后拿出来水一篇ACSAMI还是没什么问题的。

　　第四，博后学姐的FN-ICIN体系，被许秋简称为FNIC，效率最高可达%，最优的匹配给体为窄带隙的PCE10，而非宽带隙的H22系列。

　　许秋推断可能是分子共轭长度延长，光吸收范围会向近红外的方向移动，以至于和窄带隙的材料形成互补的光吸收。

　　他顺手让模拟实验人员测了一个光吸收光谱，得以验证，IDT-ICIN、ITIC、FNIC的共轭长度分别为5、7、9，光吸收的范围大致各为550-75

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